Определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода
1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 11 |
1. ЦЕЛЬ РАБОТЫ
Целью данной работы является исследование температурной зависимости обратного тока стандартного диода и определение
ширины запрещенной зоны полупроводника, из которого изготовлен диод.