1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 11 |
 
Зонная диаграмма полупроводников p-n – перехода

 
 
 
 
 
 
P-n – переход образуется при соединение полупроводников p- и n-типа. Из зонная диаграммы видно, что существует энергетический барьер для перехода основных носителей через p -n – переход. Если приложить разность потенциалов: к n-области “минус”, а к p -области “плюс”, то внешнее электрическое поле будет способствовать переходу основных носителей через барьер, и через диод потечет прямой ток. При включение диода в запорном направление в дополнение к барьеру собственно p -n – перехода движению основных носителей будет препятствовать еще и внешнее электрическое поле. Но ничего не будет препятствовать движению неосновных носителей: дырок из n-области и электронов из p -области. Обратный ток p-n – перехода – ток неосновных носителей.
6.7. При включение обратного тока, запрещающий уровень расширяется и для его преодоления электронам требуется большая энергия. Но есть электроны, имеющие энергию превышающею энергию барьера.
6.8. Потому что, цель этой работы – определение ширины запрещенной зоны полупроводника по температурной зависимости обратного тока диода.