1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 | 9 | 11 |

Ответы на контрольные вопросы:

6.1. .  «Валентная зона» это зона откуда перескакивают электроны, «зона проводимости» это зона через которую электроны могут проходить, «запрещенная зона» это зона которую электроны не могут покинуть.
6.2. Это валентный электрон, который не участвует в образование связи.
    6.3. Уровень Ферми характеризует энергию, которая необходима для перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости.
6.4. . Электронная (n -типа) проводимость образуется при введении в собственный полупроводник донорной примеси. Донорами являются атомы пятой группы таблицы Менделеева (например, P , As, Sb ). Дырочная ( p-типа) проводимость образуется при введении в полупроводник акцепторной примеси. Акцепторная примесь – атомы трехвалентных электронов.
   6.5. Электропроводность собственных полупроводников возкикает при переходе электронов из валентной зоны в зону проводимости.
6.6. Зонная диаграмма полупроводников n -типа. 
 
Уровень энергии E_D, соответствующий донорной примеси, лежит в запрещенной зоне ниже E_C на 0,01 эВ для германия и на 0,05 эВ для кремния. Поэтому уже при комнатной температуре почти все доноры будут ионизиорованы, т.е. лишние электроны атомов донорной примеси перейдут в зону проводимости. Концентрация электронов в зоне проводимости примерно равна концентрации атомов примеси, и уровень Ферми будет находиться между E_C и E_D. Электроны могут попасть в зону проводимости и из валентной зоны, в которой при этом образуются дырки. Поскольку вероятность такого перехода мала, то и концетрация дырок в валентной зоне незначительна. В полупроводнике n -типа электроны являются основными носителями заряда, а дырки – неосновными.
Зонная диаграмма полупроводников p-типа.
На зонной диаграмме уровень энергии E_A акцепторов находится тоже внутри запрещенной зоны, но вблизи потока валентной зоны. Для большинства акцепторов в Ge разность E_A – E_V равна 0,01эВ и (0,05+0,1)эВ -в Si. В следствии малой этой энергии акцепторы при обычных температурах будут все ионизированы, что соответствует переходу электронов из валентной зоны на акцепторный уровень, уровень Ферми будет расположен между E_A и E_V . В валентной зоне образуется множество дырок. В зоне проводимости будет небольшое количество электронов, т.е. электроны в полупроводнике p-типа – неосновные носители.